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漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

600

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

83

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

99

最大漏极电流Id(on)(A)：

40

通道极性：

N沟道

封装/温（wēn）度(℃)：

TO-247-3L/-55~125

描述（shù）：

600V,99mΩ,40A,N沟道（dào）基于（yú）超级结技术的功率MOSFET


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